나노분야 산학연 전문가들을 모시고 약 1시간에 걸쳐 최근의 연구 동향과 미래의 방향을 듣는

KAIST 나노포럼을 개최합니다.

2004년도 제10회 포럼이 아래와 같이 개최됨을 알려드리오니, 많은 관심과 참여를 바랍니다




= 아 래 =




1. 일 시 : 2004. 12. 21(화), 13:30 - 14:30

2. 장 소 : KAIST, 창의학습관 102호실(건물번호 : E11)

3. 제 목 : 실리콘 기술의 과거-현재-미래




4. Abstract :

지난 30년 동안 반도체 기술은 무어의 법칙에 따라 혁명적인 발전을 거듭해 왔다.

이러한 비약적인 발전은 소자의 소형화에 의해 이루어졌다. 결국 소형화 기술은 궁극적인 한계 에 도달할 것이고

언제 어떻게 그러한 한계가 올것이지는 큰 관심사 일 수밖에 없다




. 이번 발표에서 반도체 기술 발전의 역사와 현재 진행되고 있는 기술의 경향, 기술적 난제 들에대해 고찰하고.

현재까지 개발된 기술 중 미래 기술로 널리 인정 받고 있는 신구조 신물질의 반도체 소자 기술을 소개한다.

그리고 원자크기에 해당되는 극한 소자가 갖추어야 조건들을 이론적, 기술적 관점에서 제시한다.




현재 사용되고 있는 단일 게이트 구조의 한계를 극복 할 수 있는 대안소자로, 최근에 대표적인 신구조로

각광 받는 이중 게이트 FinFET 소자의 기술적 발전과 성과들을 소개한다.



실리콘은 밴드 갭 에너지가 1.12eV에 불과하기에 게이트 길이가 5nm 이하에서는 트랜지스터의 소스전극과

드레인 전극 사이에 전자의 양자 투과 현상 때문에 트랜지스터가 꺼진 상태로 존재 할 수 없게 된다.

따라서 이러한 실리콘 기술의 한계를 극복하기 위해서는 유기물 분자, 탄소나노튜브, 상전이를 일으키는

신물질 등의 도입이 필요하고, 각각의 잠재성과 장단점에 대해 비교분석 한다.




5. 연 사 : 최양규 교수 (KAIST , 전자전산학과)

6. 참가대상 : 나노과학기술에 관심있으신 분(참가비 무료)

7. 주 최 : KAIST 나노과학기술연구소

8. 후 원 : 나노종합Fab센터 / 나노기술연구협의회 / 한국경제신문사

9. 문 의 처 : 나노과학기술연구소(이상건, 042-869-8801)

이순칠 교수(042-869-2533), 최성민 교수(042-869-3822)